Name: TPW2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW2900ENH,L1QTR-ND
Price: 3.06 EUR
Availability: InStock

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TPW2900ENH,L1Q
Numéro de produit DigiKey	264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - Bande et bobine 264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPW2900ENH,L1Q
Description	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 33 A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montage en surface 8-DSOP Advance
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	29mohms à 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2200 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DSOP Advance
Boîtier	8-PowerVDFN