Name: XPN9R614MC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN9R614MCL1XHQTR-ND
Price: 1.212 EUR
Availability: OutOfStock

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XPN9R614MC,L1XHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPN9R614MCL1XHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPN9R614MCL1XHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPN9R614MCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPN9R614MC,L1XHQ
Description	MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 40 A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XPN9R614MC,L1XHQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,6mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3000 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	840mW (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	XPN9R614