Name: TP65H070G4QS-TR
Brand: Transphorm
SKU: 1707-TP65H070G4QS-TR-ND
Price: 10.092 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TP65H070G4QS-TR
Numéro de produit DigiKey	1707-TP65H070G4QS-TR-ND - Bande et bobine 1707-TP65H070G4QS-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1707-TP65H070G4QS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Transphorm
Numéro de produit du fabricant	TP65H070G4QS-TR
Description	650 V 29 A GAN FET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Montage en surface TOLL
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Transphorm
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,8V à 700µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	600 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	96W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TOLL
Boîtier	8-PowerSFN