Name: IPB027N10N3G
Brand: UMW
SKU: 4518-IPB027N10N3GTR-ND
Price: 2.412 EUR
Availability: OutOfStock

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IPB027N10N3G
Numéro de produit DigiKey	4518-IPB027N10N3GTR-ND - Bande et bobine 4518-IPB027N10N3GCT-ND - Bande coupée (CT) 4518-IPB027N10N3GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	UMW
Numéro de produit du fabricant	IPB027N10N3G
Description	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 120A 300W Montage en surface TO-263-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	UMW
Série	UMW
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120A
Vgs (max.)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-3
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB