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BYG21M-E3/TR
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYG21M-E3/TR3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYG21M-M3/TR
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYG21M-M3/TR3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYG21M/54
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYG21MHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYG21MHM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Taiwan Semiconductor Corporation
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DO-214AC, SMA
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BYG21MHE3_A/I

Numéro de produit DigiKey
BYG21MHE3_A/I-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant
BYG21MHE3_A/I
Description
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 1000 V 1,5A Montage en surface DO-214AC (SMA)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
Avalanche
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1000 V
Courant - Moyen redressé (Io)
1,5A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.6 V @ 1.5 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
120 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
1 µA @ 1000 V
Capacité à Vr, F
-
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
DO-214AC, SMA
Boîtier fournisseur
DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 150°C
Numéro de produit de base
BYG21
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
7 5000,11266 €844,95 €
15 0000,10392 €1 558,80 €
22 5000,09947 €2 238,08 €
37 5000,09447 €3 542,62 €
52 5000,09302 €4 883,55 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,11266 €
Prix unitaire avec TVA:0,13519 €