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ES2D-E3/52T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ES2D-M3/5BT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ES2DHE3/52T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ES2DHE3/5BT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ES2DHE3J_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ES2DHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ES2DHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ES2DHM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ES2DHM3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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U2D-E3/52T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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U2D-E3/5BT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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U2D-M3/52T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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DO-214AA, SMB
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

ES2D/1

Numéro de produit DigiKey
ES2D/1GI-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant
ES2D/1
Description
DIODE STANDARD 200V 2A DO214AA
Référence client
Description détaillée
Diode 200 V 2A Montage en surface DO-214AA (SMB)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
Standard
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
2A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
900 mV @ 2 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
30 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
10 µA @ 200 V
Capacité à Vr, F
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
DO-214AA, SMB
Boîtier fournisseur
DO-214AA (SMB)
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 150°C
Numéro de produit de base
ES2D
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Devis du fabricant requis
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