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Équivalent paramétrique


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Fiche technique
EGF1B-1HE3_A/I
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RGF1KHE3/5CA

Numéro de produit DigiKey
RGF1KHE3/5CA-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
RGF1KHE3/5CA
Description
DIODE STANDARD 800V 1A DO214BA
Référence client
Description détaillée
Diode 800 V 1A Montage en surface DO-214BA (GF1)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Technologies
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
800 V
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.3 V @ 1 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
500 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
5 µA @ 800 V
Capacité à Vr, F
8,5pF à 4V, 1MHz
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
DO-214BA (GF1)
Température de fonctionnement - Jonction
-65°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
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