Name: V1PM10-M3/H
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: V1PM10-M3/HGITR-ND
Price: 0.444 EUR
Availability: OutOfStock

V1PM10-M3/H est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

V1PM10HM3/H

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

En stock: 41

Prix unitaire : 0,24000 €

Fiche technique

Afficher et comparer tous les substituts

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

V1PM10-M3/H
Numéro de produit DigiKey	V1PM10-M3/HGITR-ND - Bande et bobine V1PM10-M3/HGICT-ND - Bande coupée (CT) V1PM10-M3/HGIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant	V1PM10-M3/H
Description	DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO219AD
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 100 V 1A Montage en surface DO-219AD (MicroSMP)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série	eSMP®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	100 V
Courant - Moyen redressé (Io)	1A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	770 mV @ 1 A
Vitesse	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Fuite inverse à Vr	50 µA @ 100 V
Capacité à Vr, F	100pF à 4V, 1MHz
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	DO-219AD
Boîtier fournisseur	DO-219AD (MicroSMP)
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 175°C
Numéro de produit de base	V1PM10