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SIHP23N60E-GE3
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IRF510PBF

Numéro de produit DigiKey
IRF510PBF-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRF510PBF
Description
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 5,6 A (Tc) 43W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF510PBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
5,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
540mohms à 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
180 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
43W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRF510
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0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
10,83000 €0,83 €
500,53800 €26,90 €
1000,51880 €51,88 €
5000,49154 €245,77 €
1 0000,46187 €461,87 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:0,83000 €
Prix unitaire avec TVA:0,99600 €
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