Name: IRF630SPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF630SPBF-ND
Price: 1.416 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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IRF630SPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF630SPBF-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRF630SPBF
Description	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 9 A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF630SPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	400mohms à 5,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	800 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 74W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IRF630

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,18000 €	1,18 €
50	0,91600 €	45,80 €
100	0,90280 €	90,28 €
500	0,73194 €	365,97 €
1 000	0,66097 €	660,97 €
2 000	0,62437 €	1 248,74 €
5 000	0,58755 €	2 937,75 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.