IRFB9N65APBF-BE3 Vishay | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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IRFB9N65APBF-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-IRFB9N65APBF-BE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFB9N65APBF-BE3
Description	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 8,5 A (Tc) 167W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8,5 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	930mohms à 5,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1417 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IRFB9