Name: IRFBE30PBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFBE30PBF-ND
Price: 2.232 EUR
Availability: OutOfStock

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IRFBE30PBF
Numéro de produit DigiKey	IRFBE30PBF-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFBE30PBF
Description	MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFBE30PBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3ohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	78 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1300 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IRFBE30

Prix unitaire sans TVA:	1,86000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,23200 €

IRFBE30PBF