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TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

IRFBE30STRL

Numéro de produit DigiKey
IRFBE30STRL-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRFBE30STRL
Description
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3ohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1300 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRFBE30
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