Name: IRFBG30PBF-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-IRFBG30PBF-BE3-ND
Price: 2.508 EUR
Availability: OutOfStock

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IRFBG30PBF-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-IRFBG30PBF-BE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFBG30PBF-BE3
Description	MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1000 V 3,1 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5ohms à 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	980 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IRFBG30

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,09000 €	2,09 €
50	1,23140 €	61,57 €
100	1,20960 €	120,96 €
500	1,10378 €	551,89 €
1 000	1,00968 €	1 009,68 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.