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TO-220AB Full Pack
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IRFI830G

Numéro de produit DigiKey
IRFI830G-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRFI830G
Description
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 3,1 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFI830G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,5ohms à 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
610 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220-3
Boîtier
TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
Numéro de produit de base
IRFI830
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