Name: IRFIB7N50APBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFIB7N50APBF-ND
Price: 3.576 EUR
Availability: OutOfStock

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IRFIB7N50APBF
Numéro de produit DigiKey	IRFIB7N50APBF-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFIB7N50APBF
Description	MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 6,6 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFIB7N50APBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	520mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1423 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
Numéro de produit de base	IRFIB7

Prix unitaire sans TVA:	2,98000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,57600 €

IRFIB7N50APBF