Name: IRFL110TRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFL110PBFTR-ND
Price: 0.804 EUR
Availability: OutOfStock

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IRFL110TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFL110PBFTR-ND - Bande et bobine IRFL110PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFL110PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFL110TRPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 1,5 A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montage en surface SOT-223
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFL110TRPBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	540mohms à 900mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	180 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 3,1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	IRFL110

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	0,67000 €	0,67 €
10	0,63100 €	6,31 €

Prix unitaire sans TVA:	0,67000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,80400 €

IRFL110TRPBF