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IRFZ48L

Numéro de produit DigiKey
IRFZ48L-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRFZ48L
Description
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 190W (Tc) Trou traversant TO-262-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
18mohms à 43A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2400 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,7W (Ta), 190W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-262-3
Boîtier
TO-262-3 broches longues, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IRFZ48
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Devis du fabricant requis
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