Name: MXP120A080FW-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-MXP120A080FW-GE3-ND
Price: 10.5 EUR
Availability: OutOfStock

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MXP120A080FW-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-MXP120A080FW-GE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	MXP120A080FW-GE3
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 29 A (Tc) 139W (Tc) Trou traversant TO-247-3L
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MXP120A080FW-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	MaxSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	2,69V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	47.3 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1156 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	139W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3L
Boîtier	TO-247-3

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	8,75000 €	8,75 €
10	6,83100 €	68,31 €
25	6,35200 €	158,80 €
100	5,82460 €	582,46 €
250	5,57316 €	1 393,29 €
600	5,38645 €	3 231,87 €
1 200	5,26800 €	6 321,60 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.