Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012CR-T1-GE3TR-ND
Price: 0.252 EUR
Availability: InStock

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SI1012CR-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI1012CR-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 20V SC75A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Montage en surface SC-75A
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI1012CR-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	630mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	396mohms à 600mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	43 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	240mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-75A
Boîtier	SC-75, SOT-416
Numéro de produit de base	SI1012