Name: SI1025X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1025X-T1-GE3TR-ND
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

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SI1025X-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI1025X-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1025X-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1025X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI1025X-T1-GE3
Description	MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 190mA 250mW Montage en surface SC-89 (SOT-563F)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	190mA
Rds On (max.) à Id, Vgs	4ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1,7nC à 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	23pF à 25V
Puissance - Max.	250mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-563, SOT-666
Boîtier fournisseur	SC-89 (SOT-563F)
Numéro de produit de base	SI1025

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Bande et bobine