SI2312BDS-T1-BE3 Vishay | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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SI2312BDS-T1-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI2312BDS-T1-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI2312BDS-T1-BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI2312BDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2312BDS-T1-BE3
Description	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 3,9 A (Ta) 750mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	31mohms à 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	850mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	750mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3