Name: SI2325DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2325DS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.572 EUR
Availability: InStock

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SI2325DS-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI2325DS-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI2325DS-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2325DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2325DS-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	530mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,2ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	510 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	750mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	SI2325