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SI2333DS-T1-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI2333DS-T1-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI2333DS-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI2333DS-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2333DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI2333DS-T1-E3 |
Description | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 12 V 4,1 A (Ta) 750mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI2333DS-T1-E3 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 12 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 1,8V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 32mohms à 5,3A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 18 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max.) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1100 pF @ 6 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 750mW (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
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France