Name: SI2356DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2356DS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.408 EUR
Availability: OutOfStock

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SI2356DS-T1-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI2356DS-T1-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI2356DS-T1-BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI2356DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2356DS-T1-BE3
Description	N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 3,2A (Ta), 4,3A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,2A (Ta), 4,3A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	51mohms à 3,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	370 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3