
SI3129DV-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI3129DV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI3129DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3129DV-T1-GE3 |
Description | P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 80 V 3,8A (Ta), 5,4A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 80 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 82,7mohms à 3,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 805 pF @ 40 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2W (Ta), 4,2W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP | |
Boîtier |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 0,74000 € | 0,74 € |
10 | 0,51900 € | 5,19 € |
100 | 0,35460 € | 35,46 € |
500 | 0,28586 € | 142,93 € |
1 000 | 0,24000 € | 240,00 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3 000 | 0,22422 € | 672,66 € |
6 000 | 0,20685 € | 1 241,10 € |
9 000 | 0,19801 € | 1 782,09 € |
15 000 | 0,18807 € | 2 821,05 € |
21 000 | 0,18776 € | 3 942,96 € |
Prix unitaire sans TVA: | 0,74000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 0,88800 € |