SI3410DV-T1-GE3 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:

Similaire

DMN3026LVT-7
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 0,35000 €
Fiche technique

Similaire

IRFTS8342TRPBF
Infineon Technologies
En stock: 250
Prix unitaire : 0,38000 €
Fiche technique

Similaire

IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,46000 €
Fiche technique

Similaire

RSQ020N03TR
Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : 0,89000 €
Fiche technique

Similaire

RSQ045N03TR
Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Similaire

RTQ020N03TR
Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : 0,56000 €
Fiche technique

Similaire

RTQ035N03TR
Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : 0,88000 €

Similaire

RTQ045N03TR
Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : 0,75000 €

Similaire

TPC6011(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique
Afficher et comparer tous les substituts
DG447DV-T1-E3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI3410DV-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SI3410DV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
SI3410DV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
SI3410DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SI3410DV-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,1W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SI3410DV-T1-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
19,5mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1295 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 4,1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
6-TSOP
Boîtier
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SI3410
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 en stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
Demande de notification de stock
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
10,82000 €0,82 €
100,52700 €5,27 €
1000,41900 €41,90 €
5000,33454 €167,27 €
1 0000,30361 €303,61 €
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,23928 €717,84 €
6 0000,23841 €1 430,46 €
9 0000,23447 €2 110,23 €
15 0000,22559 €3 383,85 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,82000 €
Prix unitaire avec TVA:0,98400 €
Les composants suivants peuvent vous intéresserAfficher tout
4 Articles
FDC658AP

FDC658AP

MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6

onsemi

0,65000 €
UPS140E3/TR7

UPS140E3/TR7

DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE1

Microchip Technology

0,43000 €
SI3421DV-T1-GE3

SI3421DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP

Vishay Siliconix

0,61000 €
IRFTS8342TRPBF

IRFTS8342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP

Infineon Technologies

0,38000 €