
SI3429EDV-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI3429EDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3429EDV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3429EDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3429EDV-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 8 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 8 A (Ta), 8 A (Tc) 4,2W (Tc) Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI3429EDV-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 1,8V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 21mohms à 4A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 118 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4085 pF @ 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 4,2W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 0,51000 € | 0,51 € |
10 | 0,31400 € | 3,14 € |
100 | 0,15880 € | 15,88 € |
500 | 0,15066 € | 75,33 € |
1 000 | 0,13537 € | 135,37 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3 000 | 0,10827 € | 324,81 € |
6 000 | 0,10331 € | 619,86 € |
9 000 | 0,09835 € | 885,15 € |
15 000 | 0,09406 € | 1 410,90 € |
21 000 | 0,09061 € | 1 902,81 € |
30 000 | 0,08726 € | 2 617,80 € |
75 000 | 0,08271 € | 6 203,25 € |
Prix unitaire sans TVA: | 0,51000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 0,61200 € |