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SI3442BDV-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
Équivalent paramétrique
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI3442BDV-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI3442BDV-T1-GE3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3442BDV-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 20 V 3 A (Ta) 860mW (Ta) Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 2,5V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 57mohms à 4A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,8V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 5 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max.) | ±12V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 295 pF @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 860mW (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
France