SI3443BDV-T1-E3 {Vishay | {Transistors - FET, MOSFET - Simples

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SI3443BDV-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI3443BDV-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI3443BDV-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3443BDV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI3443BDV-T1-E3
Description	MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 3,6 A (Ta) 1,1W (Ta) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	60mohms à 4,7A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	SI3443

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Bande et bobine