Name: SI3552DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3552DV-T1-GE3TR-ND
Price: 1.248 EUR
Availability: OutOfStock

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SI3552DV-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI3552DV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3552DV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3552DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI3552DV-T1-GE3
Description	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 2,5A 1,15W Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI3552DV-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5A
Rds On (max.) à Id, Vgs	105mohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3,2nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	-
Puissance - Max.	1,15W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Numéro de produit de base	SI3552