


SI3585CDV-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI3585CDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3585CDV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3585CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3585CDV-T1-GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 3,9 A, 2,1 A 1,4W, 1,3W Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI3585CDV-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 20V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 3,9 A, 2,1 A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 58mohms à 2,5A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 4,8nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 150pF à 10V | |
Puissance - Max. | 1,4W, 1,3W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 0,70000 € | 0,70 € |
10 | 0,43000 € | 4,30 € |
100 | 0,28020 € | 28,02 € |
500 | 0,21414 € | 107,07 € |
1 000 | 0,19284 € | 192,84 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3 000 | 0,16576 € | 497,28 € |
6 000 | 0,15212 € | 912,72 € |
9 000 | 0,14516 € | 1 306,44 € |
15 000 | 0,13735 € | 2 060,25 € |
21 000 | 0,13501 € | 2 835,21 € |
30 000 | 0,12890 € | 3 867,00 € |
Prix unitaire sans TVA: | 0,70000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 0,84000 € |