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SI3590DV-T1-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI3590DV-T1-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI3590DV-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI3590DV-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3590DV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3590DV-T1-E3 |
Description | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 2,5 A, 1,7 A 830mW Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 2,5 A, 1,7 A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 77mohms à 3A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 4,5nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | - | |
Puissance - Max. | 830mW | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
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France