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SI4228DY-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SI4228DY-T1-E3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI4228DY-T1-E3
Description
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 25V 8A 3,1W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8A
Rds On (max.) à Id, Vgs
18mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
25nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
790pF à 12,5V
Puissance - Max.
3,1W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Devis du fabricant requis
Ce produit doit faire l'objet d'un devis approuvé par le fabricant avant de pouvoir être commandé. Les commandes doivent respecter la quantité de conditionnement standard du fabricant, elles peuvent être soumises à des délais d'approvisionnement étendus et elles ne sont ni annulables ni retournables. Les devis sont généralement traités dans les 3 à 5 jours ouvrables suivant leur réception.
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