
SI4425FDY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4425FDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4425FDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4425FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4425FDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 12,7A (Ta), 18,3A (Tc) 2,3W (Ta), 4,8W (Tc) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 9,5mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | +16V, -20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1620 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,3W (Ta), 4,8W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 0,76000 € | 0,76 € |
10 | 0,55900 € | 5,59 € |
100 | 0,38170 € | 38,17 € |
500 | 0,29732 € | 148,66 € |
1 000 | 0,26927 € | 269,27 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2 500 | 0,23890 € | 597,25 € |
5 000 | 0,22012 € | 1 100,60 € |
7 500 | 0,21055 € | 1 579,12 € |
12 500 | 0,20163 € | 2 520,38 € |
Prix unitaire sans TVA: | 0,76000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 0,91200 € |