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SI9407BDY-T1-GE3
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SI4505DY-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SI4505DY-T1-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SI4505DY-T1-GE3
Description
MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V, 8V 6 A, 3,8 A 1,2W Montage en surface 8-SOIC
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canaux N et P
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
30V, 8V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6 A, 3,8 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
18mohms à 7,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
20nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
-
Puissance - Max.
1,2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4505
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Devis du fabricant requis
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