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Fiche technique
SI9407BDY-T1-GE3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI4804CDY-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SI4804CDY-T1-E3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI4804CDY-T1-E3
Description
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 8A 3,1W Montage en surface 8-SOIC
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8A
Rds On (max.) à Id, Vgs
22mohms à 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
23nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
865pF à 15V
Puissance - Max.
3,1W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
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Devis du fabricant requis
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