
SI4816BDY-T1-E3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4816BDY-T1-E3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4816BDY-T1-E3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 5,8 A, 8,2 A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 18,5mohms à 6,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 10nC à 5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | - | |
Puissance - Max. | 1W, 1,25W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 2,04000 € | 2,04 € |
10 | 1,29100 € | 12,91 € |
100 | 0,89090 € | 89,09 € |
500 | 0,71300 € | 356,50 € |
1 000 | 0,69681 € | 696,81 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2 500 | 0,59386 € | 1 484,65 € |
5 000 | 0,58492 € | 2 924,60 € |
Prix unitaire sans TVA: | 2,04000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 2,44800 € |