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SI4900DY-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI4900DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4900DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 5,3A 3,1W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 60V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 5,3A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 58mohms à 4,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 20nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 665pF à 15V | |
Puissance - Max. | 3,1W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
France