
SI4909DY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4909DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4909DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4909DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4909DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 8A 3,2W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4909DY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 40V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 27mohms à 8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 63nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2000pF à 20V | |
Puissance - Max. | 3,2W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,35000 € | 1,35 € |
10 | 0,85200 € | 8,52 € |
100 | 0,56830 € | 56,83 € |
500 | 0,44652 € | 223,26 € |
1 000 | 0,40731 € | 407,31 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2 500 | 0,35380 € | 884,50 € |
5 000 | 0,33864 € | 1 693,20 € |
7 500 | 0,32529 € | 2 439,68 € |
12 500 | 0,32303 € | 4 037,88 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,35000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,62000 € |