Name: SI4931DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4931DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.892 EUR
Availability: OutOfStock

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SI4931DY-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI4931DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4931DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4931DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4931DY-T1-GE3
Description	MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 12V 6,7A 1,1W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI4931DY-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,7A
Rds On (max.) à Id, Vgs	18mohms à 8,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 350µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	52nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	-
Puissance - Max.	1,1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	SI4931