
SI5936DU-T1-GE3 | |
---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI5936DU-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI5936DU-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI5936DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI5936DU-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 6A 10,4W Montage en surface PowerPAK® ChipFet double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI5936DU-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 6A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 30mohms à 5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 320pF à 15V | |
Puissance - Max. | 10,4W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | PowerPAK® ChipFET™ double | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® ChipFet double | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
1 | 0,89000 € | 0,89 € |
10 | 0,55900 € | 5,59 € |
100 | 0,36580 € | 36,58 € |
500 | 0,28240 € | 141,20 € |
1 000 | 0,25553 € | 255,53 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
3 000 | 0,22139 € | 664,17 € |
6 000 | 0,20420 € | 1 225,20 € |
9 000 | 0,19891 € | 1 790,19 € |
15 000 | 0,18560 € | 2 784,00 € |
21 000 | 0,18260 € | 3 834,60 € |
Prix unitaire sans TVA: | 0,89000 € |
---|---|
Prix unitaire avec TVA: | 1,06800 € |