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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI7252DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7252DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 36,7A 46W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7252DP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 100V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 36,7A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 18mohms à 15A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 27nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1170pF à 50V | |
Puissance - Max. | 46W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® SO-8 double | |
Numéro de produit de base |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,49000 € | 2,49 € |
| 10 | 1,61500 € | 16,15 € |
| 100 | 1,11340 € | 111,34 € |
| 500 | 0,92032 € | 460,16 € |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,75189 € | 2 255,67 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,49000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,98800 € |
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