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SI7460DP-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI7460DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7460DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7460DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7460DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7460DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 11 A (Ta) 1,9W (Ta) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7460DP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 60 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 9,6mohms à 18A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 1,9W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
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France