Name: SI7858BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7858BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.268 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI7858BDP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI7858BDP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7858BDP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7858BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7858BDP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 12 V 40 A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,5mohms à 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	84 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5760 pF @ 6 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5W (Ta), 48W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SI7858