Name: SI8425DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8425DB-T1-E1TR-ND
Price: 0.768 EUR
Availability: OutOfStock

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SI8425DB-T1-E1
Numéro de produit DigiKey	SI8425DB-T1-E1TR-ND - Bande et bobine SI8425DB-T1-E1CT-ND - Bande coupée (CT) SI8425DB-T1-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI8425DB-T1-E1
Description	MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 5,9 A (Ta) 1,1W (Ta), 2,7W (Tc) Montage en surface 4-WLCSP (1,6x1,6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI8425DB-T1-E1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	23mohms à 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2800 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,1W (Ta), 2,7W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	4-WLCSP (1,6x1,6)
Boîtier	4-UFBGA, WLCSP
Numéro de produit de base	SI8425

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