Name: SI9407BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9407BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.68 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI9407BDY-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI9407BDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI9407BDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI9407BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI9407BDY-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 4,7 A (Tc) 2,4W (Ta), 5W (Tc) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	120mohms à 3,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	600 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,4W (Ta), 5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	SI9407