Name: SIB452DK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIB452DK-T1-GE3TR-ND
Price: 0.984 EUR
Availability: OutOfStock

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SIB452DK-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIB452DK-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIB452DK-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIB452DK-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIB452DK-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 190 V 1,5 A (Tc) 2,4W (Ta), 13W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SC-75-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIB452DK-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	190 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,4ohms à 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	135 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,4W (Ta), 13W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SC-75-6
Boîtier	PowerPAK® SC-75-6
Numéro de produit de base	SIB452