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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHB080N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIHB080N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB080N60E-GE3 |
Description | E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO- |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 35 A (Tc) 227W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHB080N60E-GE3 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 600 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 80mohms à 17A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 63 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2557 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 227W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263 (D2PAK) | |
Boîtier |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,52000 € | 4,52 € |
| 50 | 2,39540 € | 119,77 € |
| 100 | 2,19010 € | 219,01 € |
| 500 | 2,09454 € | 1 047,27 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 4,52000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 5,42400 € |
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