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TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB12N60ET1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHB12N60ET1-GE3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHB12N60ET1-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
E
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
937 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
147W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHB12
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Quantité
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Quantité Prix unitaire Prix total
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Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,82028 €
Prix unitaire avec TVA:0,98434 €